| 據(jù)外媒報(bào)道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，ST）開(kāi)發(fā)出8通道柵極驅(qū)動(dòng)器L99MH98，以降低汽車(chē)電機(jī)的物料清單成本。
圖片來(lái)源：意法半導(dǎo)體
該8通道預(yù)驅(qū)動(dòng)器采用專(zhuān)利方法構(gòu)建無(wú)需傳感電阻的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，從而降低了功率耗散以及電動(dòng)座椅、天窗、車(chē)窗升降裝置、滑動(dòng)門(mén)、后備箱和后擋板的物料清單。
L99MH98可以驅(qū)動(dòng)4個(gè)外部全橋、8個(gè)半橋或單個(gè)高側(cè)/低側(cè)供電機(jī)構(gòu)，如座椅位置調(diào)節(jié)器、車(chē)窗升降器、天窗、泵、安全帶預(yù)緊器和其他執(zhí)行器。L99MH98還可以驅(qū)動(dòng)電阻負(fù)載，如加熱器，內(nèi)部電路包含1個(gè)電荷泵，其輸出可以控制反向電池保護(hù)MOSFET。
雖然驅(qū)動(dòng)器可以控制邏輯電平和標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET，但擴(kuò)展柵極電流能力（可編程高達(dá)120mA）允許驅(qū)動(dòng)大量外部MOSFET。三級(jí)柵極控制分三步應(yīng)用柵極信號(hào)，有助于最大限度地減少電磁輻射。
該設(shè)備將每個(gè)MOSFET漏極-源極電壓（VDS）提供給模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC），并通過(guò)間接電流測(cè)量來(lái)替代傳感電阻。這項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)通過(guò)將測(cè)量的VDS與使用傳感溫度預(yù)測(cè)的RDS（on）相結(jié)合來(lái)計(jì)算每個(gè)MOSFET中的漏極電流。
該系統(tǒng)在制造時(shí)經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)，以找到標(biāo)稱(chēng)RDS（on）值，從而可以使用MOSFET的電阻與溫度曲線進(jìn)行預(yù)測(cè)。
其24位串行外設(shè)接口（SPI）用于配置和控制8個(gè)半橋或4個(gè)H橋。SPI狀態(tài)寄存器提供高級(jí)診斷信息，例如電源電壓監(jiān)控、電荷泵電壓監(jiān)控、溫度警告和過(guò)熱關(guān)斷。
另一個(gè)功能（也已獲得專(zhuān)利）是可編程多重故障保護(hù)功能，該功能通過(guò)單獨(dú)關(guān)閉橋以防止故障，同時(shí)允許不受影響的橋正常運(yùn)行，從而提高可靠性。多重故障保護(hù)可檢測(cè)故障，包括電源過(guò)壓、高端過(guò)壓/欠壓、熱警告、電荷泵故障、VDS監(jiān)控故障，并根據(jù)故障類(lèi)型有選擇地關(guān)閉診斷、看門(mén)狗和電荷泵等功能。
該8通道柵極驅(qū)動(dòng)器符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，并滿(mǎn)足ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)，適用于功能安全應(yīng)用，最高可達(dá)安全完整性等級(jí)（ASIL）B。 |
