以前，要從音頻放大器中獲得高質量的音質，還需要花費數千美元，而且還依賴于大體積、笨重、大功耗的A類放大器。現在，GaN FET和GaN IC的出現迎來了高質量、低成本D類音頻放大器的時代。
使用GaN降低失真性能的問題
從歷史上看，為了滿足高質量音效所需的失真性能目標（THD+N、TIM 和 IM），D類放大器必須采用集成大量反饋電路來補償較差的開環性能。這種失真的來源是硅功率MOSFET。
D類放大器的處理器產生代表音頻信號的高頻脈寬調制 (PWM) 小信號。在半橋或全橋配置中，功率晶體管將小信號轉換為大信號，并通過濾波器來驅動揚聲器。由于每個脈沖都是方波，增大頻率可以更好地表示音頻信號。在每個開關周期中，電源會通過開關損耗和傳導損耗來耗散，從而在音質、工作頻率和功耗之間進行平衡。
D類放大器的功率級目標是實現小信號源的精確大信號復制，同時減少熱量耗散。基于GaN的FET和IC更優異的開關和熱性能產生的波形比硅MOSFET所能達到的波形更接近所需的理想波形。
Premium Audio公司采用GaN技術的D類放大器提供高于A類放大器設計的音質
GaN技術使消費者能夠享受到D放大器類優于A類放大器音質的好處。越來越多的制造商正在發布基于氮化鎵的設計。Premium Audio公司的產品Mini GaN 5是一款雙通道氮化鎵的平衡音頻功率放大器。該放大器的每通道功率為200W RMS（8歐姆）。 Mini GaN 5還可以驅動4歐姆甚至2歐姆的揚聲器。盡管它的尺寸很小（9 ¾”寬，7”長，1 ¾”高度），但音質令人印象深刻。 THD+N約為0.006%，增益：低增益=26dB，中增益=28dB，高增益=32dB。
EPC的eGaN FET提供優異性能和高可靠性
Premium Audio公司的擁有者和首席設計師Tom Rost為其基于GaN的放大器選擇了EPC的eGaN® FET，因為eGaN® FET具有優異的性能和高可靠性。Tom Rost表示，“EPC的氮化鎵產品使Premium Audio公司的GaN放大器能夠提供獨一無二的聆聽體驗。而且，eGaN FET不僅提供了令人難以置信的性能，而且在發燒友級放大器中實現了最優的性價比。”
氮化鎵FET和集成芯片開啟了高質量、低成本D類音頻放大器的時代——提供比A類放大器更優的音質和更低的成本。GaN FET和集成芯片的卓越開關性能可提供接近理想的波形，從而實現比硅MOSFET更低的失真和更優的音質。這種性能預示著高品質、價格合理的D類音頻放大器進入了一個新時代，將發燒級品質的放大器帶入消費類和汽車應用。 |
