Yole 最近的研究報告指出，中國大陸市場存儲芯片的崛起、倒裝芯片 DRAM 和 3D 堆疊技術的發(fā)展，將會給本土封裝廠商帶來重大利好。
數(shù)據(jù)顯示，從市場份額來看，2020 年到 2026 年，整體存儲封裝市場將以 7% 的復合年增長率增長，至 2026 年將達到 198 億美元。
DRAM 封裝將是 2026 年最重要的存儲封裝領域，屆時將占有 70% 的市場份額。
從長遠來看，NAND 和 DRAM 封裝收入在 2020 年到 2026 年之間的復合年增長率顯著，分別為 4% 和 9%。
從技術層面看，Wirebond（引線鍵合）之后，倒裝芯片將在 2026 年占據(jù)存儲封裝市場的最大份額，為 34%，主要用于 DRAM 封裝。
預計標準晶圓級芯片級封裝（WLCSP）的收入將在 2020-2026 年以 14% 的復合年增長率增長，但到 2026 年，就價值而言，其市場份額將僅占約 1%。
2026 年，Wirebond 分立式和多芯片將主導存儲封裝市場，其次是倒裝芯片。Wirebond 是 NAND 和移動 DRAM 最常見的封裝技術。
隨著摩爾定律的持續(xù)放緩和新的先進封裝技術的興起，后端處理變得越來越重要。
從供應鏈上看，2020 年，大約 68% 的存儲封裝收入來自 IDM 玩家。剩下的 32% 則由 OSAT 產生。
中國大陸的存儲封裝是 OSAT 廠商的關鍵商機。
中國大陸崛起的存儲制造商長江存儲 (NAND) 和長鑫存儲 (DRAM) 將所有封裝外包給 OSAT 廠商。
▲ 2020-2026 年存儲封裝市場收入分類：IDM vs OSAT
其中橙色代表 IDM，黃色代表為非中國大陸 IDM 廠商做封裝的 OSAT 廠商，綠色代表為中國大陸 IDM 廠商做封裝的 OSAT 廠商
“在以數(shù)據(jù)為中心的現(xiàn)代社會中，存儲是一個關鍵市場，受到移動端、云計算、人工智能和物聯(lián)網等重要大趨勢的推動”，來自 Yole 的分析師 Simone Bertolazzi 斷言。“所有這些都在推動所謂的‘數(shù)據(jù)生成爆炸’，并正在塑造未來幾年存儲需求的強勁增長”。
NAND 和 DRAM 是主力存儲技術，合計占整體獨立存儲市場收入的約 96%。
Yole 半導體和軟件部門 NAND 和存儲器研究副總裁 Walt Coon 解釋說，“在 2020 年到 2026 年，NAND 和 DRAM 收入預計將分別以 9% 和 15% 的復合年增長率增長，到 2026 年分別達到 930 億美元和 1550 億美元。”
存儲封裝市場遵循與獨立存儲市場相同的趨勢，因此將受益于存儲需求的強勁長期增長以及持續(xù)的晶圓廠產能擴張。
Simone Bertolazzi 評論道：“我們預計用于存儲芯片的晶圓總量將從 2020 年的 3550 萬片增長到 2026 年的 5000 萬片，2020 年至 2026 年間的復合年增長率為 6%，而同一時期存儲封裝的數(shù)量復合年增長率為 5%。”
2020 年整體存儲封裝市場規(guī)模為 131 億美元，相當于獨立存儲市場的 10% 左右。
Yole 半導體和軟件部門 DRAM 和存儲研究副總裁 Mike Howard 補充道：“就封裝收入而言，DRAM 是 2020 年領先的存儲技術，占有 63% 的份額，而引線鍵合是主要的封裝方法, 主要用于移動應用程序。”
▲ 2020-2026 年存儲封裝市場收入變化
與獨立存儲市場價格波動較大的特點不同，存儲封裝市場較為穩(wěn)定，因為大部分業(yè)務是在 IDM 廠商內部進行的。Yole 估計，2020 年大約 68% 的存儲封裝收入來自 IDM 廠商，其余 32% 來自 OSAT 廠家。
中國大陸 OSAT 廠商迎來新機遇
中國大陸崛起的存儲 IDM 廠商，長江存儲和長鑫存儲，分別正在迅速增加其 NAND 和 DRAM 晶圓的產量。這兩家公司沒有完善的內部封裝能力，必須將所有封裝外包給 OSAT 廠商。這對 OSAT 廠商來說是一個獨特的商機，尤其是對那些在中國大陸的 OSAT 廠商。
根據(jù) Yole 關于存儲封裝的報告，來自中國大陸大陸本土的存儲供應商對 OSAT 廠商的收入貢獻可以從 2020 年的不到 1 億美元增長到 2026 年的約 11 億美元。這相當于 2020 年至 2026 年的復合年增長率為 55%。
中國大陸的 OSAT 廠商將首先受益于這個機會。中國大陸 OSAT 領域的三個主要玩家長電科技、通富微電和華天科技正準備加入競爭。
▲ 存儲封裝方法從引線框架演變?yōu)榛?TSV 和混合鍵合的高級封裝
還需要注意的是，目前有兩個相反的趨勢正在影響存儲封裝業(yè)務：一方面，中國大陸存儲產量的增加正在推動 OSAT 收入的增長；另一方面，IDM 正在增加其內部后端能力，特別是對于高級封裝工藝，以減少對 OSAT 的外包。 |
