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DC-DC升壓芯片、內置升壓功放IC損壞常被忽視的地方
文章來源:永阜康科技 更新時間:2020/6/15 11:32:00
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升壓芯片或者內置升壓的功放燒片燒片的常見原因有兩個:一是開關管的過沖超過了工藝的極限參數,這個之前的文章介紹過很多次,這里不再詳述。另外一個是今天聊的重點,也是大家非常容易忽視的地方—電解電容。

Boost升壓,環路必須要穩定,穩定性是由電感、輸出電容、補償線路決定的。如果輸出電容選擇不恰當,或者輸出電容質量問題,會引起環路震蕩,LX震蕩、PVOUT震蕩,最終導致芯片損壞。

小編遇到一個1%芯片損壞問題,更換芯片后,發現升壓線路出現震蕩,PVOUT和LX起伏震蕩較大,隨時會超出工藝極限,導致損壞。



確定這種震蕩是外圍器件引起的,更換電感后沒有明顯改善。


加大陶瓷電容有改善,PVOUT上的陶瓷電容從22uF改為44uF后不再震蕩。

但是需要兩顆X7R的22uF,成本略高,另外理論上,PVOUT上已經有470uF電解電容,容量足夠大,不應該導致該問題。


所以把重點放到電解電容,陶瓷電容保持與原來不變,更換電解電容后,不再震蕩。



那么電解電容怎么會導致震蕩呢?


下面把這個電解電容進行測試。把470uF電解電容和1K電阻串聯,加入50%占空比方波做交流源。

一個RC的時間是465ms,所以容量是對的。但是重點來了,電容充電的起始點發現異常,不是從0開始,而是有一個固定的電壓。這個極有可能是電解電容已經損壞,或者內部寄生阻抗太大,甚至達到了100歐的級別,導致環路出現了不穩定,震蕩。


正常電解電容充放電過程應該是下圖:

總結:電解電容簡單、常用,所以我們也常常忽視電解電容的品質管理,但這對于升壓的影響卻是很大的。

 
 
 
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