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TPHR7904PB/TPH1R104PB 采用新型封裝的汽車用40V N溝道功率MOSFET
文章來源:永阜康科技 更新時間:2018/4/20 9:53:00
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采用小型低電阻封裝,實現更低的導通電阻

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款采用小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的新MOSFET產品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”,這兩款產品是汽車用40V N溝道功率MOSFET系列的最新產品。批量生產即日啟動。

這兩款新MOSFET產品采用最新第九代U-MOS IX-H溝槽工藝制造,采用小型低電阻封裝,具備低導通電阻,因此有助于降低導通損耗。與東芝上一代設計(U-MOS IV)相比,U-MOS IX-H設計還實現了更低的開關噪聲,有助于降低EMI(電磁干擾)。

SOP Advance (WF)封裝采用“可沾錫側翼”(wettable flank)端子結構,支持在焊接之后進行自動光學檢測(AOI)

應用場合

  • 電動助力轉向系統(EPS)
  • 負載開關
  • 電動泵

特點

  • 由于采用U-MOS IX-H工藝和SOP Advance(WF)封裝,實現了0.79mΩ的最大導通電阻(RDS(ON)最大值)。
  • 低噪音特性降低了電磁干擾(EMI)。
  • 采用可沾錫側翼端子結構,支持小型低電阻封裝。

 

主要規格

(除非另作說明,@Ta=25°C)

 

產品型號

 

漏源極
電壓
VDSS
(V)

 

漏極
電流
(直流)
ID
(A)

 

漏源極
導通電阻

RDS(ON)最大值(mΩ)

 

柵源極
之間
內置
穩壓二極管

 

系列

     

@VGS=6V

 

@VGS=10V

   

TPH1R104PB

 

40

 

120

 

1.96

 

1.14

 

 

U-MOS IX

TPHR7904PB

 

 

150

 

1.3

 

0.79

 

 

U-MOS IX

 
 
 
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