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ST推出其最新的電子羅盤
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2016/5/9 15:19:00
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ST推出其最新的電子羅盤,讓智能手機(jī)、智能手表、健身跟蹤器以及其它穿戴式設(shè)備具有更好的導(dǎo)航和健身運(yùn)動(dòng)成績(jī)記錄功能,即使在衛(wèi)星導(dǎo)航無(wú)法正常工作的情況下,仍能實(shí)現(xiàn)出色的定位功能。

健身跟蹤手機(jī)應(yīng)用、智能手表和手環(huán)在跟蹤記錄健身運(yùn)動(dòng)情況時(shí)需要連續(xù)的位置數(shù)據(jù),對(duì)于喜歡監(jiān)視健身進(jìn)步情況和分享運(yùn)動(dòng)成績(jī)的穿戴設(shè)備用戶,測(cè)量精度至關(guān)重要。在沒(méi)有衛(wèi)星信號(hào)的情況下,例如在建筑物內(nèi)或在林蔭路上跑步或騎行時(shí),內(nèi)置電子羅盤可以幫助應(yīng)用計(jì)算位置。不過(guò),現(xiàn)有解決方案在北緯地區(qū)有大約10°的誤差,例如,意大利北部或加州北部,這會(huì)讓用戶每行走1000米偏離航道150米左右。

采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的高精度磁傳感器制造技術(shù),LSM303AGR電子羅盤將航向誤差降至4°,除更高的定位精度外,在低功耗模式下,其功耗比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品降低50%;此外,更高的精度和超低功耗使其特別適用于移動(dòng)設(shè)備的行人航位推算(PDR)功能。

LSM303AGR還能提升汽車導(dǎo)航等設(shè)備的航位推算精度,并在-40°C至85°C溫度范圍內(nèi)保持推算精度,而競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品會(huì)隨溫度變化發(fā)生很大變化,例如室內(nèi)常溫和人體溫度之間的細(xì)微差異可使精度漂移高達(dá)35%或更高。

意法半導(dǎo)體事業(yè)群副總裁兼?zhèn)鞲衅鳟a(chǎn)品部總經(jīng)理Andrea Onetti表示:“該款新電子羅盤的領(lǐng)先技術(shù)進(jìn)一步擴(kuò)大了我們?cè)谙M(fèi)電子產(chǎn)品定位和運(yùn)動(dòng)檢測(cè)MEMS傳感器市場(chǎng)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)的高精度PDR將大幅提升相關(guān)應(yīng)用的使用體驗(yàn),例如健身跟蹤器、手機(jī)導(dǎo)航、智能手表。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS預(yù)計(jì),這些智能產(chǎn)品的銷量將于2020年超過(guò)1億件。[1]

意法半導(dǎo)體的新款LSM303AGR電子羅盤現(xiàn)已上市,采用2mm x 2mm x 1mm 12引腳LGA封裝。

技術(shù)細(xì)節(jié):

作為一款單片集成所有羅盤功能的電子羅盤,LSM303AGR整合一個(gè)三軸加速度計(jì)和一個(gè)緊湊的三軸各向異性磁阻(AMR,Anisotropic Magneto-Resistive)傳感器。加速度傳感器采用意法半導(dǎo)體成熟的ThELMA[2]技術(shù);磁阻傳感器的靈敏度和噪聲均低于傳統(tǒng)霍爾傳感器。LSM303AGR采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的異性磁阻制造工藝,溫度穩(wěn)定性高于采用巨磁阻(GMR,Giant Magneto-Resistive)或隧道磁電阻 (TMR,Tunnel Magneto-Resistive)技術(shù)的解決方案。意法半導(dǎo)體的AMR傳感器還有很高的動(dòng)態(tài)范圍,有助于傳感器進(jìn)一步提升精度,防止在高場(chǎng)強(qiáng)環(huán)境區(qū)域出現(xiàn)磁飽和現(xiàn)象。

意法半導(dǎo)體在各種緯度地區(qū)對(duì)LSM303AGR進(jìn)行了磁強(qiáng)感測(cè)精度測(cè)試,并取得比競(jìng)爭(zhēng)品牌現(xiàn)有電子羅盤芯片和純磁傳感器更高的精度和溫度穩(wěn)定性。

[1]http://press.ihs.com/press-release/technology/apple-watch-success-needed-smartwatch-mega-boom-new-ihs-report-says

[2]ThELMA(Thick Epi-Poly Layer for Microactuators and Accelerometers):微致動(dòng)器和加速度計(jì)加厚多晶硅外延層制造工藝,是意法半導(dǎo)體的MEMS結(jié)構(gòu)制造工藝之一,采用晶片間鍵合和硅護(hù)帽。意法半導(dǎo)體是世界領(lǐng)先的MEMS技術(shù)廠商,在全世界擁有近1,000 項(xiàng)MEMS相關(guān)專利和專利申請(qǐng)。

 
 
 
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