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東芝開發(fā)出兩種新的工藝技術(shù)和微控制器無線通訊IC

文章來源：更新時間：2015/7/9 9:27:00

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東芝公司（東京證券交易所：6502）今天宣布，它已經(jīng)開發(fā)出使用更少的功耗比目前的主流技術(shù)基于65nm邏輯制程閃存的嵌入式處理和單層多晶硅非易失性存儲器（NVM）工藝基于130納米邏輯和模擬電源的過程。應(yīng)用優(yōu)化過程中不同的應(yīng)用將使東芝公司擴大其產(chǎn)品陣容等方面的單片機，無線通信芯片，電機控制器驅(qū)動器和電源IC。
130納米-NVM和65nm-閃存樣品供貨定于2015年第四季度和2016年的第二季度，分別。
物聯(lián)網(wǎng)市場是看到了低功耗領(lǐng)域包括可穿戴和醫(yī)療相關(guān)設(shè)備的需求強勁。作為響應(yīng)，東芝已采用的SST的[2]第三代的SuperFlash電池技術(shù)，并結(jié)合其自身的65nm邏輯工藝技術(shù)。該公司還開發(fā)了嵌入式超低功耗閃存邏輯工藝精細調(diào)諧電路和制造工藝。微控制器的消費和工業(yè)應(yīng)用的應(yīng)用程序可以降低與目前的主流技術(shù)功耗降至約60％。
繼第一系列微控制器，東芝計劃推出樣品BLE（低功耗藍牙）的產(chǎn)品，短距離無線技術(shù)，在財政年度2016年該公司還計劃申請的65nm工藝其無線通信IC產(chǎn)品系列，可以優(yōu)化利用的低功耗特性，包括NFC（近場通信）控制器和非接觸式卡。
除了低功耗的優(yōu)點，該方法的技術(shù)有助于縮短開發(fā)時間，作為應(yīng)用軟件可以很容易地寫入和重寫在開發(fā)過程中閃爍存儲器。
通過在設(shè)備提供超低功耗，以促進和邏輯電路和模擬電路技術(shù)的專業(yè)閃存外圍電路技術(shù)的進一步開發(fā)工程的進展，東芝公司將在滿足低功耗應(yīng)用的需求持續(xù)增長。公司的宗旨是降低功耗的整個系統(tǒng)，針對50μA/ MHz工作，并開發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品為物聯(lián)網(wǎng)。
在應(yīng)用中顯著降低成本是一個問題，東芝公司已開發(fā)出采用YMC的[3]單聚MTP（多次可編程）細胞東芝的130nm邏輯工藝技術(shù)的嵌入式NVM工藝。
同時限制在掩模圖案的光刻增加步驟以三個或更少，甚至沒有施加的MTP規(guī)格為寫入時間提高了新工藝的性能。
NVM和模擬電路被嵌入在單個芯片可以摻入由一個多芯片系統(tǒng)通常執(zhí)行多種功能上。這減少端子的數(shù)量，實現(xiàn)更小的封裝。
通過使用MTP來調(diào)整輸出精度，東芝將擴大其產(chǎn)品陣容的領(lǐng)域需要更高的精度是必不可少的，如電源管理IC。
注意事項：
[1] NVM：非易失性存儲器。
[2] SST：硅存儲技術(shù)。 Microchip的技術(shù)公司的全資子公司
[3] YMC Inc .:的產(chǎn)量微電子公司。一位臺灣IP發(fā)展公司。