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用于DC/DC轉換器的耐壓30V功率MOSFET
文章來源: 更新時間:2012/6/20 16:40:00
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日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉換器,開發出了功率MOSFET。  

 

 

 

 

 

新系列的產品陣容為耐壓30V的共16種產品。羅姆獨家的高效特性,有助于各種設備的DC/DC電源電路實現更低功耗。另外,根據不同用途提供3種小型封裝,可減少安裝面積,更加節省空間。

關于生產基地,前期工序在羅姆的總部(日本京都市),后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國),從2012年4月開始出售樣品(樣品價格30~50日元/個),從5月份開始以月產100萬個的規模進行量產。

 

近年來,隨著服務器和筆記本電腦等的高性能化發展,CPU等的功耗不斷增加,工作電壓越發低電壓化,設備的電源電路的溫升和電池驅動時間減少已成為很大問題。在這種情況下,在同期整流方式降壓型DC/DC轉換器等各種電源電路中內置功率MOSFET,使之承擔與提高電源的電力轉換效率直接相關的重要作用。為了實現高效低損耗的功率MOSFET,降低導通電阻和柵極容量是非常重要的,然而權衡兩者的關系后,往往很難同時兼顧。

 

新系列產品,除了進一步微細化,采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”,同時實現了低柵極容量與低導通電阻。作為DC/DC轉換器用功率MOSFET的性能指數所使用的“FOM”與傳統產品相比降低了50%,達到了業界頂級的高效性。由此,不僅降低了同期整流型DC/DC電源電路的高邊(High Side)的開關損耗,而且降低了低邊(Low Side)的導通損耗,可大大提高電路整體的效率。另外,能夠在高頻下進行同期整流動作,使外圍部件的小型化成為可能。

此外,本產品為了確保在同期整流電路中的性能,針對Rg(柵極電阻)、UIS(L負載雪崩耐量)實施了100%試驗,在質量方面也具有高可靠性。羅姆今后也將充分發揮獨創的先進工藝加工技術,不斷推進設想到客戶需求的晶體管產品的開發。

 

<特點>

1)  低導通電阻、低容量

進一步微細化,同時,采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”,實現了低容量與低導通電阻兼備的元件。與羅姆傳統產品相比,表示功率MOSFET的性能指數的“FOM”數值可降低50%。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2)  實現業界頂級的高效率

在同期整流型DC/DC電源電路中采用此次的功率MOSFET,可大大降低電力損耗,因此有助于設備的更低功耗。特別是高頻下的特性卓越,使外圍部件的小型化成為可能。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3)  采用小型封裝,有助于更加節省空間,產品陣容中還包括復合封裝

根據不同用途,提供3種小型封裝。HSMT8比HSOP8的安裝面積減少了65%,為節省空間做出巨大貢獻。而且,產品陣容中還包括DC/DC電源電路中的高邊(High Side)用MOSFET與低邊(Low Side)用MOSFET復合化的新封裝HSOP8(Dual)。不僅安裝面積減小,而且還可有助于減少安裝次數。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

<規格>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

<術語解說>

・DC/DC轉換器

將直流電壓轉換為直流電壓的電源電路。例如,將服務器和電腦等設備內部的12V標準電壓轉換為使微處理器和存儲器等IC工作的各種電壓(5V~0.9V等)。

 

・FOM(Figure of merit)

表示功率MOSFET性能的指數,以Ron×Qgd的數值表示。數值越小越優異。

 
 
 
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