移動(dòng)設(shè)備中需要改進(jìn)性能的最新領(lǐng)域是存儲(chǔ)系統(tǒng)。JEDEC正在推動(dòng)LPDDR3存儲(chǔ)接口規(guī)范發(fā)展，其一直以1.2V的電壓工作。LPDDR3給移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)帶來(lái)的是更快的讀/寫(xiě)速度、更緊密的封裝，以及更低的電池耗電量。下一代智能手機(jī)和平板電腦將采用這種新型存儲(chǔ)技術(shù)，當(dāng)然也給LPDDR3的測(cè)試和檢驗(yàn)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，包括在執(zhí)行信號(hào)完整性測(cè)量時(shí)的信號(hào)訪問(wèn)以及精確檢測(cè)更低幅度的快速讀/寫(xiě)突發(fā)。
JEDEC要求從存儲(chǔ)芯片的焊球處執(zhí)行信號(hào)完整性驗(yàn)證測(cè)試。由于LPDDR3的封裝尺寸縮小，挑戰(zhàn)變成了實(shí)現(xiàn)良好信號(hào)完整性測(cè)量的“觀測(cè)點(diǎn)精度”問(wèn)題。從不能接觸的節(jié)點(diǎn)獲得準(zhǔn)確的波形數(shù)據(jù)是LPDDR3的主要問(wèn)題。
在傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)中，可以從DIMM背面，用非常短的過(guò)孔把探測(cè)點(diǎn)與焊球隔開(kāi)，實(shí)現(xiàn)焊球探測(cè)接入。在基于移動(dòng)設(shè)備的存儲(chǔ)器中，DIMM可能就位于處理器芯片的頂部，不必再接入封裝的背面。這樣一來(lái)，必須考慮插入式工具（interposer）/夾具，以打開(kāi)物理通路。這些器件帶來(lái)了額外的信號(hào)損耗，影響著觀測(cè)點(diǎn)精度。而在測(cè)量?jī)x器中，必須檢定(一般使用采樣示波器或VNA作為S參數(shù))并考慮觀測(cè)點(diǎn)精度。
一旦能夠在LPDDR3測(cè)試中實(shí)現(xiàn)可靠的觀測(cè)點(diǎn)，那么下一個(gè)挑戰(zhàn)是使用適當(dāng)?shù)膬x器采集和顯示信號(hào)，實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確檢驗(yàn)。在1.2V時(shí)，LPDDR3信號(hào)將要求在示波器中更審慎地設(shè)置幅度測(cè)量(垂直標(biāo)度)。LPDDR3存儲(chǔ)器上的讀/寫(xiě)速度數(shù)據(jù)流越快，就需要更精確的觸發(fā)方式，隔離有序突發(fā)業(yè)務(wù)，檢驗(yàn)其電氣性能是否滿足JEDEC的新興規(guī)范。
總之，對(duì)移動(dòng)設(shè)備性能無(wú)休止的需求導(dǎo)致需要更高的存儲(chǔ)器帶寬，來(lái)處理數(shù)據(jù)密集型多媒體應(yīng)用，同時(shí)要在一定程度上降低電池耗電量，以延長(zhǎng)充電的間隔時(shí)間。JEDEC機(jī)構(gòu)的最新工作將升級(jí)兩個(gè)前沿領(lǐng)域。成功地實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)要求優(yōu)秀的測(cè)試觀測(cè)點(diǎn)策略及可靠的平臺(tái)，以采集信號(hào)，執(zhí)行很快就會(huì)出現(xiàn)的一致性測(cè)試和驗(yàn)證測(cè)試。 |
