盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實(shí)用，而且這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際發(fā)展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段。不過，許多芯片制造商仍在竭力推進(jìn)基于TSV的3D芯片技術(shù)的發(fā)展并為其投入研發(fā)資金，這些廠商包括IBM,Intel，三星，東芝等等，3D芯片技術(shù)的優(yōu)勢在于可以在不需要改變現(xiàn)有產(chǎn)品制程的基礎(chǔ)上增加產(chǎn)品的集成度，從而提高單位芯片面積內(nèi)的晶體管數(shù)量。
在最近舉辦的GSA存儲大會上，芯片制造業(yè)的四大聯(lián)盟組織-IMEC, ITRI, Sematech以及SEMI都展示了他們各自在基于TSV的3D芯片技術(shù)方面的最新進(jìn)展。
SEMI聯(lián)盟組織旗下的一個3D芯片技術(shù)工作組本周召開了第一次聯(lián)合會議，會上他們草擬出了一套TSV技術(shù)用晶圓坯以及制造用設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)。SEMI聯(lián)盟組織旗下共有三個與3D芯片技術(shù)有關(guān)的工作組，而且他們目前還在組織第四個與之有關(guān)的工作組，這個新成立的工作組將由芯片生產(chǎn)用設(shè)備制造行業(yè)的老大應(yīng)用材料公司領(lǐng)銜。
而另外一個工業(yè)聯(lián)盟組織Sematech也在積極拓展自己的3D芯片研發(fā)計(jì)劃。令人稍感意外的是，Analog Devices最近也宣布加入了由Sematech組織的“3D芯片設(shè)計(jì)啟動中心”組織，目前該組織的成員有Altera, LSI, 安森美半導(dǎo)體以及高通等幾家。
3D堆疊技術(shù)的誘因：
另外一些組織和公司也都在積極開發(fā)基于TSV的3D芯片技術(shù)。究其原因，是因?yàn)樵S多芯片廠商都擔(dān)心將來繼續(xù)縮減制程尺寸時(shí)，所花費(fèi)的成本將難以承受，甚至不久的將來可能會被迫停止芯片制程縮減方面的研發(fā)。
所有這些行動表明，除了向二維方向縮減制程尺寸之外，業(yè)界也在積極考慮向三維TSV芯片堆疊方向發(fā)展的方案。多年以來，芯片制造商一直在談?wù)摶赥SV的3D芯片堆疊技術(shù)，不過除了在CMOS圖像傳感器領(lǐng)域有推出過采用類似技術(shù)的產(chǎn)品之外，這項(xiàng)技術(shù)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有進(jìn)入主流范疇，導(dǎo)致這種現(xiàn)象的原因則是研發(fā)成本高，缺乏標(biāo)準(zhǔn)等因素。
2.5D與3D芯片堆疊技術(shù)：
2.5D芯片堆疊結(jié)構(gòu)
理論上說，3D芯片堆疊技術(shù)的實(shí)現(xiàn)可分兩步走，第一階段是先采用借助硅中間互連層的2.5D技術(shù)，這種技術(shù)中雖然也有使用TSV技術(shù)，但如上圖所示，功能芯片(chip1/2)中并沒有制出TSV結(jié)構(gòu)，而是把TSV結(jié)構(gòu)設(shè)置在專門的襯底中，功能芯片通過microbump與中間互連層(interposer)連接，再通過一層TSV襯底連接到3D芯片封裝用襯底上；而第二階段則會將TSV結(jié)構(gòu)直接植入功能芯片之中。
而現(xiàn)在，多家組織已經(jīng)組建了許多新的，面向主流應(yīng)用的3D芯片堆疊項(xiàng)目組。舉例而言，Semtech組織便正在與IBM公司進(jìn)行這方面的合作，這個項(xiàng)目的目標(biāo)是將模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片與DSP芯片利用TSV 3D堆疊技術(shù)連接在一起，這兩種芯片將通過一層中間互聯(lián)層（interposer）連接在一起，該互連層的峰值帶寬可超過1.3Tbps.
3DIC技術(shù)在內(nèi)存領(lǐng)域的應(yīng)用熱點(diǎn)：Wide I/O
另外，以Hynix，三星等為首的組織則在積極推廣可將TSV 3D堆疊技術(shù)帶入主流應(yīng)用領(lǐng)域的另外一項(xiàng)計(jì)劃，即Wide I/O內(nèi)存接口技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)面向手機(jī)，平板電腦等相關(guān)產(chǎn)品。
三星的Wide I/O內(nèi)存芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)
JEDEC組織目前還在審核Wide I/O內(nèi)存接口技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，這種內(nèi)存接口的位寬達(dá)512bit，可以增大內(nèi)存芯片與邏輯芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸帶寬，其峰值傳輸率可達(dá)12.8GB/s，帶寬要比常規(guī)的LP DDR2接口高出了3倍之多。
LPDDR2是目前移動設(shè)備用內(nèi)存的主流接口標(biāo)準(zhǔn)。而Wide I/O則是三星等廠商計(jì)劃用于取代LPDDR2的接口標(biāo)準(zhǔn)，Wide I/O計(jì)劃將分兩個階段實(shí)現(xiàn)，第一階段的Wide I/O將實(shí)現(xiàn)將4塊內(nèi)存芯片通過TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)互聯(lián)，組建高位寬4通道芯片，然后再利用TSV技術(shù)將這種高位寬4通道芯片堆疊在一起。高位寬4通道芯片內(nèi)部的四塊芯片采用微凸焊(microbump或稱μ-bump)互聯(lián)的方法實(shí)現(xiàn)相互連接。據(jù)預(yù)測，采用這種技術(shù)的產(chǎn)品有望在2014/2015年間出現(xiàn)，不過也有人認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)實(shí)用化可能需要更多的時(shí)間。
Rambus公司高級副總裁兼半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的總經(jīng)理Sharon Holt則認(rèn)為，由于這項(xiàng)技術(shù)十分復(fù)雜加上高額的研發(fā)成本，因此基于TSV的Wide I/O接口技術(shù)可能要再過“5-10年”才有望實(shí)用化。同時(shí)他還認(rèn)為業(yè)界不太可能直接從現(xiàn)有的LPDDR2標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)換到Wide I/O標(biāo)準(zhǔn)，因?yàn)閺臅r(shí)間上看，LPDDR2技術(shù)去年便已經(jīng)有實(shí)際的產(chǎn)品問世，而Wide I/O技術(shù)現(xiàn)在看則仍是八字還沒一撇。 |
